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Samsung SSD 250G M.2 Séries 850 EVO SATA III (MZ-N5E250BW) Renforcer par la technologue V-NAND 3D Neuf sous emballage

Réf.: 1654

Disponibilité : En stock

Profitez de la série de SSD 850 EVO de Samsung qui vous offrira un démarrage plus rapide, un système plus réactif et de performances en nette hausse avec vos applications et jeux. L'architecture unique et innovante de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle.
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QR:  Samsung SSD 250G M.2 Séries 850 EVO SATA III (MZ-N5E250BW) Renforcer par la technologue V-NAND 3D Neuf sous emballage

Détails

Qu'est ce que la 3D V-NAND et en quoi diffère t-elle des technologies existantes ?


L'architecture unique et innovante de la mémoire flash 3D V-NAND de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. La 3D V-NAND empile 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe. Par conséquent, cette technologie permet d'augmenter la densité ainsi que les performances, le toute avec une surface réduite.
 
Qu'est ce que la 3D V-NAND et en quoi diffère t-elle des technologies existantes ?

Optimisez votre expérience informatique à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans précédent

Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. Par rapport au 840 EVO, le 850 EVO enregistre une expérience utilisateur globale supérieure d'environ 13%*, notamment grâce à ses vitesses d'écriture aléatoires désormais 2 fois plus rapides**. Le 850 EVO offre les meilleures performances dans sa catégorie avec des vitesses de lecture et d'écriture s'élevant respectivement à 540 Mo/s et 520 Mo/s. Profitez de performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client.
*PCMark 7 (250 Go): 6700 (840 EVO) < 7600 (850 EVO) 
** Écriture aléatoire (profondeur de file d'attente: 32, 120 Go): 36 000 IOPS (840 EVO) < 88 000 IOPS (850 EVO)
 
Optimisez votre expérience informatique à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans précédent
Augmentez votre mémoire de stockage avec le RAPID Mode

Le Samsung 850 EVO M.2 est une machine très rapide. Avec le dernier logiciel Samsung Magician, vous pouvez activer le RAPID Mode pour exploiter la mémoire du PC (DRAM) inutilisée et utiliser jusqu'à 25% de la capacité totale de la DRAM comme mémoire cache. Avec cette augmentation considérable de la mémoire, les vitesses de traitement des données et les files d'attente aléatoires peuvent être 2 fois plus rapides* en RAPID Mode.
 
Augmentez votre mémoire de stockage avec le RAPID Mode
Endurance et fiabilité renforcées par la technologie 3D V-NAND

Avec deux fois plus de Total Bytes Written (TBW) comparé à la génération précédente du 840 EVO*, le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité assurées ainsi qu'une garantie de 5 ans, la plus élevée dans ce secteur. Grâce à l'amélioration jusqu'à 30% de ses performances, le 850 EVO offre des performances continues**, ce qui en fait l'une des solutions de stockage les plus fiables. . 
* TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120 / 250 Go), 150 (850 EVO 500 / 1 To) 
** Performances soutenues (250 Go): 3300 IOPS (840 EVO) < 6500 IOPS (850 EVO), performances mesurées après un test d'« Écriture aléatoire » de 12 heures.
 
Endurance et fiabilité renforcées par la technologie 3D V-NAND
 
Faible consommation d'énergie renforcée par la 3D V-NAND

Le 840 EVO a introduit la fonction Device Sleep pour une consommation de 2 mW. À présent, le 850 EVO introduit la technologie V-NAND 3D de pointe (consommant 50% d'énergie en moins que la Planar NAND 2D) qui vous permet de réduire de 25% votre consommation d'énergie durant les opérations d'écriture*.
 
Faible consommation d'énergie renforcée par la 3D V-NAND
Facteur de forme flexible pour une utilisation sur différents types d'appareils

La polyvalence du 850 EVO vous permet de couvrir tout type de connecteur ou de taille de port pris en charge par votre appareil. Le 850 EVO M.2 SATA est aussi fin et étroit que les SSD de type M.2 PCIe. En outre, il prend en charge l'interface SATA. Il est parfait pour des expériences informatiques plus rapides sur les ordinateurs et ordinateurs portables d'aujourd'hui, et en particulier, sur les tablettes PC ultra-fines à espace restreint.
 
Facteur de forme flexible pour une utilisation sur différents types d'appareils

Protégez vos données avec des méthodes de cryptage avancées

Le 850 EVO est renforcé avec le dernier moteur de chiffrement matériel intégral du disque. Les cryptages AES 256 bits et TCG Opal 2.0 protègent vos données sans dégrader les performances. Le 850 EVO est également compatible avec le protocole Microsoft eDrive IEEE-1667 pour une protection permanente de vos données.
 
Protégez vos données avec des méthodes de cryptage avancées

Protection contre toute surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard

La fonction Dynamic Thermal Guard du 850 EVO surveille et maintient en permanence et automatiquement la température idéale du disque afin qu'il fonctionne dans des conditions optimales
Protection contre toute surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard

Gestion simple et rapide des migrations

Grâce à One-Stop Install Navigator, les logiciels Samsung Data Migration et Magician sont installés simultanément pour plus de facilité. Cela permet d'assurer l'optimisation des paramètres de votre SSD pour un transfert efficace de vos données.
Gestion simple et rapide des migrations

Profitez d'une solution d'intégration en interne comprenant des composants haut de gamme

En tant que chef de file dans les SSD, Samsung est le mieux placé pour concevoir, développer et fabriquer exclusivement en interne. Cela entraîne des solutions entièrement intégrées et pleinement optimisées pour des performances accrues. Cela élimine également le risque d'erreurs de compatibilité des composants.
Profitez d'une solution d'intégration en interne comprenant des composants haut de gamme

SPÉCIFICATIONS

Dimensions de MZ-N5E500BW

Caractéristiques générales

  • Référence

    MZ-N5E500BW

  • Application

    Utilisateurs de PC

  • Capacité

    250 Go

  • Form Factor

    M.2

  • Interface

    Interface SATA 6 Gb/s, compatible avec l'interface SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s

  • Dimensions

    Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 (mm)

  • ¨Poids

    Max 7g

  • Mémoire de stockage

    Samsung 32 couches 3D V-NAND

  • Contrôleur

    Samsung MGX Controller

  • Mémoire cache

    Samsung 250 MB Low Power DDR3 SDRAM

Caractéristiques spécifiques

  • TRIM Support

    Oui

  • S.M.A.R.T Support

    Oui

  • GC (Garbage Collection)

    Oui

  • Système de cryptage

    AES 256 bit Encryption (Class 0), TCG / Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)

  • WWN Support

    Oui

  • Mode veille

    Oui

Performances

  • Lecture séquentielle

    Jusqu'à 540 Mo/sec

  • Ecriture séquentielle

    Jusqu'à 500 Mo/sec

  • Lecture aléatoire (4KB, QD32)

    Jusqu'à 97 000 IOPS

  • Ecriture aléatoire (4KB, QD32)

    Jusqu'à 89 000 IOPS

  • Lecture aléatoire (4KB, QD1)

    Jusqu'à 10 000 IOPS

  • Ecriture aléatoire (4KB, QD1)

    Jusqu'à 40 000 IOPS

Environnement

  • Consommation moyenne

    *Moyenne: 3.5 Watts *Maximum: 4.7 Watts

  • Consommation en mode veille

    Max. 50 mWatts

  • Voltage

    5 V ± 5%

  • Fiabilité (MTBF)

    1.5 Million d'heure (MTBF)

  • Température de fonctionnement

    0 - 70 °C

  • Chocs

    1500 G & 0.5 ms

Accessoires

  • Kit d'installation

    Non Disponible

Logiciel

  • Management SW

    Magician Software

 

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